MOSFET Microchip, canale N 60 V, 5.3 Ω Miglioramento, 200 mA, 3 Pin, TO-92, Foro passante 2N7000-G

Il MOSFET a canale N con montaggio a foro passante Microchip Technology è un nuovo prodotto di età con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 30V. Ha una resistenza drain-source di 5ohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una corrente di drain continua di 200mA e una dissipazione di potenza massima di 1W. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo MOSFET è rispettivamente di 4,5 V e 10V. Il MOSFET è un MOSFET in modalità di miglioramento (normalmente spento) che utilizza una struttura DMOS verticale e un processo di produzione di gate in silicio ben collaudato. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Caratteristica significativa di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di breakdown secondari termici e indotti termicamente. Questo DMOS FET verticale è stato ottimizzato per minori perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga e produttiva durata senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

• Facilità di messa in parallelo

Amplificatori •

• ANSI/ESD S20.20:2014