MOSFET onsemi, canale N, 9 Ω, 200 mA, TO-92, Su foro

Questi MOSFET a piccolo segnale a canale N sono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria on Semiconductor ad alta densità di celle. Questi prodotti sono stati progettati per ridurre al minimo la resistenza allo stato di accensione, fornendo allo stesso tempo prestazioni di commutazione veloci, affidabili e robuste. Possono essere utilizzati nella maggior parte delle applicazioni che richiedono fino a 400 mA CC e possono erogare correnti pulsate fino a 2 A. Questi prodotti sono particolarmente adatti per applicazioni a bassa tensione e bassa corrente.

Interruttore piccolo del segnale controllato in tensione
Elevata capacità di saturazione della corrente
Affidabili e resistenti
Design cella ad alta densità per RDS (ON) basso
Applicazioni
Servocomando motore piccolo
Driver per gate MOSFET di potenza
Applicazioni di switching assortite