MOSFET onsemi, canale N, 9 Ω, 200 mA, TO-92, Su foro
- Codice RS:
- 903-4074
- Codice costruttore:
- 2N7000-D26Z
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 100
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| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 100 - 400 | 0,162 € | 16,20 € |
| 500 - 900 | 0,149 € | 14,90 € |
| 1000 - 1900 | 0,141 € | 14,10 € |
| 2000 - 3900 | 0,138 € | 13,80 € |
| 4000 + | 0,136 € | 13,60 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 903-4074
- Codice costruttore:
- 2N7000-D26Z
- Costruttore:
- onsemi
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET di potenza versione avanzata, Fairchild Semiconductor
Solida tecnologia a effetto valanga
Solida tecnologia a ossido di gate
Capacità di ingresso ridotta
Carica di gate migliorata
Solida tecnologia a ossido di gate
Capacità di ingresso ridotta
Carica di gate migliorata
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 200 mA |
| Tensione massima drain source | 60 V |
| Tipo di package | TO-92 |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 9 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate minima | 0.8V |
| Dissipazione di potenza massima | 400 mW |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -40 V, +40 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Materiale del transistor | Si |
| Larghezza | 4.19mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Lunghezza | 5.2mm |
| Altezza | 5.33mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |