MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 25 mΩ Miglioramento, 56 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

75,40 €

(IVA esclusa)

92,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 250 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
50 - 2001,508 €75,40 €
250 - 9501,389 €69,45 €
1000 - 24501,353 €67,65 €
2500 +1,32 €66,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
124-1674
Codice costruttore:
HUF75639P3
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

56A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-220

Serie

UltraFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

25mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

200W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.83 mm

Altezza

9.4mm

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Non conforme

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor


I MOSFET Trench UItraFET® combinano caratteristiche che garantiscono un'elevata efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo è in grado di sopportare un'energia elevata nella modalità a valanga e il diodo mostra un tempo di recupero inverso e una carica immagazzinata molto bassi. Ottimizzato per garantire efficienza alle alte frequenze, una bassissima resistenza RDS(on), una bassa ESR e una carica di gate totale e Miller bassa.

Applicazioni in convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza, regolatori switching, azionamenti per motori, switch bus a bassa tensione e gestione dell'alimentazione.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati