MOSFET Nexperia, canale N, 13,4 mΩ, 82 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Codice RS:: 124-2416
Codice costruttore:: PSMN8R2-80YS,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 13,4 mΩ, 82 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 124-2416
Codice costruttore:: PSMN8R2-80YS,115
Costruttore:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	82 A
Tensione massima drain source	80 V
Tipo di package	LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	13,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	130 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	4.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	55 nC a 10 V
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale N, 13,4 mΩ, 82 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia

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