MOSFET Nexperia, canale N, 13,4 mΩ, 82 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Codice RS:: 124-2416
Codice costruttore:: PSMN8R2-80YS,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 13,4 mΩ, 82 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

2990 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1500)

1,003 €

(IVA esclusa)

1,224 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per bobina*
1500 +	1,003 €	1.504,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 124-2416
Codice costruttore:: PSMN8R2-80YS,115
Costruttore:: Nexperia

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia

Transistor MOSFET, NXP Semiconductors

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	82 A
Tensione massima drain source	80 V
Tipo di package	LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	13,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	130 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	55 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	5mm
Larghezza	4.1mm
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C