MOSFET Nexperia, canale N 80 V, 13.4 mΩ Miglioramento, 82 A, 4 Pin, SOT-669, Superficie

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Codice RS:
124-2416
Codice costruttore:
PSMN8R2-80YS,115
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

82A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

SOT-669

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

55nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia


Transistor MOSFET, NXP Semiconductors


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