MOSFET Nexperia, canale N, 42 mΩ, 34 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Marchio

Nexperia

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

34 A

Tensione massima drain source

80 V

Tipo di package

SOT-669

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

4

Resistenza massima drain source

42 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

74 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

4.1mm

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

5mm

Carica gate tipica @ Vgs

20 nC a 10 V

Altezza

1.1mm

Minima temperatura operativa

-55 °C