MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 3 mΩ Miglioramento, 290 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 124-9019
- Codice costruttore:
- IRFP4468PBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 tubo da 25 unità*
91,575 €
(IVA esclusa)
111,725 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- 1750 unità in spedizione dal 06 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 3,663 € | 91,58 € |
| 50 - 100 | 3,48 € | 87,00 € |
| 125 + | 3,334 € | 83,35 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 124-9019
- Codice costruttore:
- IRFP4468PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 290A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 360nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 520W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 20.7mm | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5.31 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 290A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 360nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 520W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 20.7mm | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5.31 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon
MOSFET per controllo di motori
Infineon offre una gamma completa di dispositivi MOSFET robusti a canale N e a canale P per le applicazioni di controllo motori.
MOSFET raddrizzatore sincrono
La gamma di dispositivi MOSFET a raddrizzamento sincrono per alimentatori c.a.-c.c. supporta le richieste dei clienti in merito a sistemi con una maggiore densità di potenza, dimensioni ridotte, maggiore portabilità e flessibilità.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.