Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 3 mΩ Miglioramento, 290 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP4468PBF

Codice RS:: 688-7014
Codice costruttore:: IRFP4468PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 3 mΩ Miglioramento, 290 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP4468PBF

Sconto per quantità disponibile

Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

5,04 €

(IVA esclusa)

6,15 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

Più 267 unità in spedizione dal 31 agosto 2026
Più 1184 unità in spedizione dal 07 settembre 2026

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità
1 - 9	5,04 €
10 - 24	4,44 €
25 - 49	4,13 €
50 - 99	3,89 €
100 +	3,58 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 688-7014
Codice costruttore:: IRFP4468PBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	290A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Tipo di package	TO-247
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	360nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	520W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	5.31mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	15.87mm
	Altezza	20.7mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 290A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie HEXFET
	Tipo di package TO-247
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 360nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 520W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 5.31mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 15.87mm
	Altezza 20.7mm
	Standard automobilistico No

MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon

MOSFET per controllo di motori

Infineon offre una gamma completa di dispositivi MOSFET robusti a canale N e a canale P per le applicazioni di controllo motori.

MOSFET raddrizzatore sincrono

La gamma di dispositivi MOSFET a raddrizzamento sincrono per alimentatori c.a.-c.c. supporta le richieste dei clienti in merito a sistemi con una maggiore densità di potenza, dimensioni ridotte, maggiore portabilità e flessibilità.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.