Codice costruttore

MOSFET Wolfspeed, canale Tipo N 1 kV, 90 mΩ Miglioramento, 35 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante C3M0065100K

Codice RS:: 125-3453
Codice costruttore:: C3M0065100K
Costruttore:: Wolfspeed

MOSFET Wolfspeed, canale Tipo N 1 kV, 90 mΩ Miglioramento, 35 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante C3M0065100K

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Codice RS:: 125-3453
Codice costruttore:: C3M0065100K
Costruttore:: Wolfspeed

Specifiche

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Wolfspeed
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	35A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	1kV
	Serie	C3M
	Tipo di package	TO-247
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	90mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	4.5V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	19V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	35nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	113.5W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	5.21mm
	Lunghezza	16.13mm
	Altezza	23.6mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Wolfspeed
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 35A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1kV
	Serie C3M
	Tipo di package TO-247
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 90mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 4.5V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 19V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 35nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 113.5W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 5.21mm
	Lunghezza 16.13mm
	Altezza 23.6mm
	Standard automobilistico No

MOSFET di potenza al carburo di silicio, serie C3M, Cree Inc.

Nuova tecnologia MOSFET al carburo di silicio (SiC) C3M

Minimo di 1000 V di tensione di scarica distruttiva drain-source su tutta la gamma di temperature d'esercizio

Nuovo contenitore a bassa impedenza con sorgente driver

8 mm di dispersione/gioco tra drain e source

Commutazione ad alta velocità con bassa capacità di uscita

Elevata tensione di bloccaggio con bassa resistenza in stato attivo drain-source

Resistenza alle valanghe

Diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso

Transistor MOSFET, Cree Inc.

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