MOSFET IXYS, canale Tipo N 100 V, 11 mΩ Miglioramento, 178 A, 4 Pin, SOT-227, Superficie IXTN200N10L2

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Codice RS:
125-8048
Codice costruttore:
IXTN200N10L2
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

178A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

Linear L2

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.4V

Dissipazione di potenza massima Pd

830W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

540nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

25.07 mm

Lunghezza

38.23mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

9.6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

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