MOSFET Infineon, canale N, 1,25 mΩ, 400 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

Codice RS:: 130-0992
Codice costruttore:: IRFS3004TRL7PP
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 1,25 mΩ, 400 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 130-0992
Codice costruttore:: IRFS3004TRL7PP
Costruttore:: Infineon

IRFS3004-7PPbF, HEXFET Power MOSFET 40V
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	400 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	D2PAK-7
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	7
Resistenza massima drain source	1,25 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	380 W
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	10.67mm
Carica gate tipica @ Vgs	160 nC a 20 V
Larghezza	4.83mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Altezza	9.65mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.3V

MOSFET Infineon, canale N, 1,25 mΩ, 400 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza a canale N da 40 V, Infineon

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