MOSFET Infineon, canale Tipo P 20 V, 53 mΩ Miglioramento, 7.2 A, 6 Pin, PQFN, Superficie IRLHS2242TRPBF

Codice RS:: 130-1018
Codice Distrelec:: 304-36-993
Codice costruttore:: IRLHS2242TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P 20 V, 53 mΩ Miglioramento, 7.2 A, 6 Pin, PQFN, Superficie IRLHS2242TRPBF

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Codice RS:: 130-1018
Codice Distrelec:: 304-36-993
Codice costruttore:: IRLHS2242TRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	7.2A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Serie	HEXFET
	Tipo di package	PQFN
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	53mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	12nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	12V
	Dissipazione di potenza massima Pd	9.6W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	2.1mm
	Lunghezza	2.1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	0.95mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 7.2A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Serie HEXFET
	Tipo di package PQFN
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 53mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12V
	Dissipazione di potenza massima Pd 9.6W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 2.1mm
	Lunghezza 2.1mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 0.95mm
	Standard automobilistico No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 7,2A, dissipazione di potenza massima di 9,6W - IRLHS2242TRPBF

Questo MOSFET a montaggio superficiale è adatto ad applicazioni che richiedono una commutazione ad alta efficienza. La bassa resistenza di accensione, abbinata alla tecnologia HEXFET, contribuisce a ridurre al minimo la perdita di potenza, rendendolo adatto a compiti di gestione dell'alimentazione in vari circuiti elettronici. Con una temperatura massima che va da -55°C a +150°C, funziona efficacemente anche in condizioni difficili.

Caratteristiche e vantaggi

• La bassa Rds(on) garantisce un'elevata efficienza e una ridotta generazione di calore

• In grado di gestire una corrente di drenaggio continua di 7,2A per prestazioni robuste

• Il package DFN compatto a 6 pin facilita l'integrazione in spazi limitati

• Il funzionamento in modalità di potenziamento consente opzioni di progettazione versatili

• Offre un'eccellente resistenza termica per una maggiore longevità

Applicazioni

• Utilizzato per la commutazione di sistema/carico nei sistemi di automazione

• Ideale per la commutazione di carica e scarica nella gestione delle batterie

• Adatto per dispositivi elettronici compatti che richiedono un'elevata efficienza

• Impiegato nei sistemi di controllo elettrico e nei circuiti di gestione dell'energia

Qual è il significato della caratteristica Rds(on) bassa?

Il basso valore di Rds(on) consente di ridurre le perdite di conduzione, migliorando l'efficienza complessiva e mantenendo temperature più basse durante il funzionamento, un aspetto fondamentale per le applicazioni ad alta potenza.

In che modo questo componente gestisce le prestazioni termiche?

Ha una temperatura massima di +150°C e una bassa resistenza termica per migliorare la dissipazione del calore, garantendo un funzionamento stabile in condizioni di carico elevato.

È in grado di gestire ambienti operativi diversi?

Sì, funziona efficacemente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, rendendolo adatto ad applicazioni rigorose in climi diversi.

È adatto per applicazioni ad alta frequenza?

Il design del MOSFET supporta la commutazione ad alta velocità, rendendolo efficace per le applicazioni ad alta frequenza dell'elettronica contemporanea.

Quali sono i requisiti di montaggio per ottenere prestazioni ottimali?

Per ottenere risultati ottimali, è necessario montarlo su un circuito stampato con caratteristiche di gestione termica adeguate per ottimizzare la dissipazione del calore e le connessioni elettriche.