MOSFET Infineon, canale Tipo P 20 V, 53 mΩ Miglioramento, 7.2 A, 6 Pin, PQFN, Superficie IRLHS2242TRPBF

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Codice RS:
130-1018
Codice costruttore:
IRLHS2242TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

7.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

HEXFET

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

53mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Dissipazione di potenza massima Pd

9.6W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.1mm

Larghezza

2.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.95mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-36-993

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 7,2A, dissipazione di potenza massima di 9,6W - IRLHS2242TRPBF


Questo MOSFET a montaggio superficiale è adatto ad applicazioni che richiedono una commutazione ad alta efficienza. La bassa resistenza di accensione, abbinata alla tecnologia HEXFET, contribuisce a ridurre al minimo la perdita di potenza, rendendolo adatto a compiti di gestione dell'alimentazione in vari circuiti elettronici. Con una temperatura massima che va da -55°C a +150°C, funziona efficacemente anche in condizioni difficili.

Caratteristiche e vantaggi


• La bassa Rds(on) garantisce un'elevata efficienza e una ridotta generazione di calore

• In grado di gestire una corrente di drenaggio continua di 7,2A per prestazioni robuste

• Il package DFN compatto a 6 pin facilita l'integrazione in spazi limitati

• Il funzionamento in modalità di potenziamento consente opzioni di progettazione versatili

• Offre un'eccellente resistenza termica per una maggiore longevità

Applicazioni


• Utilizzato per la commutazione di sistema/carico nei sistemi di automazione

• Ideale per la commutazione di carica e scarica nella gestione delle batterie

• Adatto per dispositivi elettronici compatti che richiedono un'elevata efficienza

• Impiegato nei sistemi di controllo elettrico e nei circuiti di gestione dell'energia

Qual è il significato della caratteristica Rds(on) bassa?


Il basso valore di Rds(on) consente di ridurre le perdite di conduzione, migliorando l'efficienza complessiva e mantenendo temperature più basse durante il funzionamento, un aspetto fondamentale per le applicazioni ad alta potenza.

In che modo questo componente gestisce le prestazioni termiche?


Ha una temperatura massima di +150°C e una bassa resistenza termica per migliorare la dissipazione del calore, garantendo un funzionamento stabile in condizioni di carico elevato.

È in grado di gestire ambienti operativi diversi?


Sì, funziona efficacemente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, rendendolo adatto ad applicazioni rigorose in climi diversi.

È adatto per applicazioni ad alta frequenza?


Il design del MOSFET supporta la commutazione ad alta velocità, rendendolo efficace per le applicazioni ad alta frequenza dell'elettronica contemporanea.

Quali sono i requisiti di montaggio per ottenere prestazioni ottimali?


Per ottenere risultati ottimali, è necessario montarlo su un circuito stampato con caratteristiche di gestione termica adeguate per ottimizzare la dissipazione del calore e le connessioni elettriche.

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