MOSFET Infineon, canale N 30 V, 7.2 mΩ Miglioramento, 82 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
217-2612
Codice costruttore:
IRFH8325TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

82A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

3.6W

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.98mm

Lunghezza

6.02mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

1.17mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 30V in contenitore PQFN 5mm X 6mm.

Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Livello logico : ottimizzato per una tensione di pilotaggio gate di 5 V.

Contenitore di potenza a montaggio superficiale standard industriale

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