MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 7.2 mΩ Miglioramento, 82 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
217-2612
Codice costruttore:
IRFH8325TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

82A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.6W

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

1.17mm

Lunghezza

6.02mm

Larghezza

4.98 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 30V in contenitore PQFN 5mm X 6mm.

Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Livello logico : ottimizzato per una tensione di pilotaggio gate di 5 V.

Contenitore di potenza a montaggio superficiale standard industriale

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