MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 3.5 mΩ P, 212 A, 8 Pin, PQFN, Superficie BSZ15DC02KDHXTMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0564
Codice costruttore:
BSZ15DC02KDHXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

212A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

BSZ

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

P

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Infineon realizza questo canale P + N complementare in modalità di potenziamento. È a valanga e senza alogeni. Questo dispositivo è un transistor a piccolo segnale OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 con livello Super Logic (valore nominale 2,5 V). È dotato di scarico comune ed è classificato anti effetto valanga. La temperatura d'esercizio è di 175 °C. È al 100% senza piombo, senza alogeni.

Livello Super Logic (valore nominale 2,5 V)

100% senza piombo

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