MOSFET Infineon, canale Tipo N, Tipo P +20 V, 150 mΩ P, 5.10 A, 8 Pin, PQFN, Superficie BSZ15DC02KDHXTMA1
- Codice RS:
- 250-0564
- Codice costruttore:
- BSZ15DC02KDHXTMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 250-0564
- Codice costruttore:
- BSZ15DC02KDHXTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5.10A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | +20V | |
| Serie | BSZ | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 150mΩ | |
| Modalità canale | P | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5.10A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds +20V | ||
Serie BSZ | ||
Tipo di package PQFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 150mΩ | ||
Modalità canale P | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie BSZ, tensione massima drain-source 20 V, corrente di drenaggio continua massima 5,10 A - BSZ15DC02KDHXTMA1
Questo MOSFET è un dispositivo a semiconduttore a doppio canale progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale nell'elettronica compatta. Supporta il funzionamento sia a canale N che a canale P, viene fornito in un pacchetto PQFN a 8 pin ed è destinato ad applicazioni che richiedono una gestione della corrente moderata e un gate drive controllato. Il componente è conforme alla direttiva RoHS ed è specificato per ambienti a temperatura estesa.
Caratteristiche e vantaggi:
• Rds(on) di 150 mΩ riduce le perdite di conduzione durante la commutazione
• La carica di gate tipica di 80 nC consente una dimensionamento del gate‐drive prevedibile
• La Vds massima di 20 V supporta le guide di alimentazione a bassa tensione
• La corrente di drenaggio continua di 5,10 A gestisce le correnti di carico sostenute
• La dissipazione di potenza di 81 W consente un'elevata gestione dell'energia transitoria
• La carica di gate tipica di 80 nC consente una dimensionamento del gate‐drive prevedibile
• La Vds massima di 20 V supporta le guide di alimentazione a bassa tensione
• La corrente di drenaggio continua di 5,10 A gestisce le correnti di carico sostenute
• La dissipazione di potenza di 81 W consente un'elevata gestione dell'energia transitoria
Applicazioni
• Adatto per regolatori a commutazione del punto di carico
• Ideale per gli stadi del convertitore buck sincrono
• Utilizzato con circuiti di gestione dell'alimentazione a segnale misto
• Può essere utilizzato per la protezione della batteria e la commutazione del carico
• Adatto per moduli di alimentazione compatti a montaggio superficiale
• Ideale per gli stadi del convertitore buck sincrono
• Utilizzato con circuiti di gestione dell'alimentazione a segnale misto
• Può essere utilizzato per la protezione della batteria e la commutazione del carico
• Adatto per moduli di alimentazione compatti a montaggio superficiale
Entro quale intervallo di temperatura può operare?
È progettato per funzionare a temperature comprese tra -55 °C e 175 °C.
Quale tipo di montaggio e numero di pin richiede?
Si tratta di un componente a montaggio superficiale fornito in un contenitore PQFN a 8 pin.
In che modo la configurazione dei canali influisce sulla progettazione dei circuiti?
La disponibilità di entrambi i tipi a canale N e a canale P consente topologie complementari e uno spostamento di livello semplificato negli interruttori bidirezionali.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate derivano dalla carica del gate?
Una carica di gate di 80 nC richiede un driver gate di dimensioni corrispondenti alla velocità di commutazione prevista per gestire l'energia di transizione e le perdite di commutazione.
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