MOSFET Toshiba, canale N, 48 mΩ, 7 A, DPAK+ (TO-252), Montaggio superficiale

Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

7 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

DPAK+ (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

48 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

50 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

5.5mm

Carica gate tipica @ Vgs

7,1 nC @ 10 V

Lunghezza

6.5mm

Materiale del transistor

Si

Altezza

2.3mm

Serie

U-MOSVIII-H

Tensione diretta del diodo

1.2V