MOSFET DiodesZetex, canale N, 35 mΩ, 14,2 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

Codice RS:: 133-3344
Codice costruttore:: DMN2011UFDF-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 35 mΩ, 14,2 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 133-3344
Codice costruttore:: DMN2011UFDF-7
Costruttore:: DiodesZetex

DMN2011UFDF N-channel MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	14,2 A
Tensione massima drain source	20 V
Serie	DMN2011UFDF
Tipo di package	U-DFN2020
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	35 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	2,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	2.05mm
Carica gate tipica @ Vgs	56 nC a 10 V
Lunghezza	2.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.58mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET DiodesZetex, canale N, 35 mΩ, 14,2 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc