MOSFET DiodesZetex, canale N, 85 mΩ, 4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 133-3376
Codice costruttore:: DMN2056U-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 85 mΩ, 4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 133-3376
Codice costruttore:: DMN2056U-7
Costruttore:: DiodesZetex

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc

Transistor MOSFET, Diodes Inc.

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	DMN2056U
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	85 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	940 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	4,3 nC @ 10 V
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C