MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 30 V, 85 mΩ Miglioramento, 4 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie DMG3402LQ-7
- Codice RS:
- 206-0069
- Codice costruttore:
- DMG3402LQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 206-0069
- Codice costruttore:
- DMG3402LQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | DMG3402 | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 85mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.4W | |
| Tensione diretta Vf | 1.16V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 2.8 mm | |
| Lunghezza | 2.3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie DMG3402 | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 85mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.4W | ||
Tensione diretta Vf 1.16V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 2.8 mm | ||
Lunghezza 2.3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.9mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il transistor a effetto di campo in modalità potenziata a canale N DiodesZetex 30V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 12 V con dissipazione di potenza termica di 1,4 W.
Bassa capacità di ingresso
Elevata velocità di commutazione
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