MOSFET DiodesZetex, canale N 30 V, 85 mΩ Miglioramento, 4 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

513,00 €

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627,00 €

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Codice RS:
206-0068
Codice costruttore:
DMG3402LQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Serie

DMG3402

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

85mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.4W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11.7nC

Tensione diretta Vf

1.16V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.8mm

Lunghezza

2.3mm

Altezza

900μm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il transistor a effetto di campo in modalità potenziata a canale N DiodesZetex 30V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 12 V con dissipazione di potenza termica di 1,4 W.

Bassa capacità di ingresso

Elevata velocità di commutazione

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