MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 30 V, 85 mΩ Miglioramento, 4 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie
- Codice RS:
- 206-0068
- Codice costruttore:
- DMG3402LQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
318,00 €
(IVA esclusa)
387,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 21.000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,106 € | 318,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-0068
- Codice costruttore:
- DMG3402LQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Serie | DMG3402 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 85mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.4W | |
| Tensione diretta Vf | 1.16V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 2.8 mm | |
| Lunghezza | 2.3mm | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Serie DMG3402 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 85mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.4W | ||
Tensione diretta Vf 1.16V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 2.8 mm | ||
Lunghezza 2.3mm | ||
Altezza 0.9mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il transistor a effetto di campo in modalità potenziata a canale N DiodesZetex 30V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 12 V con dissipazione di potenza termica di 1,4 W.
Bassa capacità di ingresso
Elevata velocità di commutazione
Link consigliati
- MOSFET DiodesZetex 0 4 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 3 Ω SOT-23, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 4 500 mA Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 5 Ω SOT-23, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 190 Ω SOT-23, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 900 mA Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 4 SOT-23, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 2 Ω SOT-23, Montaggio superficiale
