Modulo di potenza SiC ROHM, canale N, 180 A, C, Montaggio superficiale

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Codice RS:
144-2254
Codice costruttore:
BSM180D12P3C007
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

180 A

Tensione massima drain source

1200 V

Serie

BSM

Tipo di package

C

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

4

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5.6V

Tensione di soglia gate minima

2.7V

Dissipazione di potenza massima

880 W

Numero di elementi per chip

2

Larghezza

45.6mm

Lunghezza

122mm

Materiale del transistor

SiC

Massima temperatura operativa

+150 °C

Altezza

17mm

Minima temperatura operativa

-40 °C

Paese di origine:
JP

Moduli di potenza SiC, ROHM


Il modulo è costituito da dispositivi di potenza in carburo di silicio (SiC) DMOS FET con diodo a barriera Schottky (SBD) su drain e source.

Configurazione half-bridge

Bassa corrente di sovratensione

Basse perdite di commutazione di potenza

Commutazione ad alta velocità

Bassa temperatura di funzionamento

Transistor MOSFET, ROHM Semiconductor


Note

Il modulo di potenza BSM180D12P2C101 SiC non include diodi a barriera Schottky.

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