2 Modulo di potenza SiC ROHM, canale N, 180 A 1200 V, Montaggio superficiale Miglioramento, 4 Pin BSM180D12P3C007

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Codice RS:
144-2254
Codice costruttore:
BSM180D12P3C007
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

Modulo di potenza SiC

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

BSM

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

4

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

880W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

17mm

Larghezza

45.6mm

Lunghezza

122mm

Numero elementi per chip

2

Paese di origine:
JP

Moduli di potenza SiC, ROHM


Il modulo è costituito da dispositivi di potenza in carburo di silicio (SiC) DMOS FET con diodo a barriera Schottky (SBD) su drain e source.

Configurazione half-bridge

Bassa corrente di sovratensione

Basse perdite di commutazione di potenza

Commutazione ad alta velocità

Bassa temperatura di funzionamento

Transistor MOSFET, ROHM Semiconductor


Note

Il modulo di potenza BSM180D12P2C101 SiC non include diodi a barriera Schottky.

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