2 Modulo di potenza SiC ROHM, canale Tipo N Miglioramento, 4 Pin BSM180D12P3C007

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Codice RS:
144-2259
Codice costruttore:
BSM180D12P3C007
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

Modulo di potenza SiC

Tipo di canale

Tipo N

Serie

BSM

Numero pin

4

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

45.6 mm

Altezza

17mm

Lunghezza

122mm

Numero elementi per chip

2

Paese di origine:
JP

Moduli di potenza SiC, ROHM


Il modulo è costituito da dispositivi di potenza in carburo di silicio (SiC) DMOS FET con diodo a barriera Schottky (SBD) su drain e source.

Configurazione half-bridge

Bassa corrente di sovratensione

Basse perdite di commutazione di potenza

Commutazione ad alta velocità

Bassa temperatura di funzionamento

Transistor MOSFET, ROHM Semiconductor


Note

Il modulo di potenza BSM180D12P2C101 SiC non include diodi a barriera Schottky.

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