2 Modulo di potenza SiC ROHM, canale Tipo N Miglioramento, 4 Pin BSM180D12P3C007

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

652,50 €

(IVA esclusa)

796,05 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 08 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 1652,50 €
2 - 4635,33 €
5 - 9619,04 €
10 +603,56 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
144-2259
Codice costruttore:
BSM180D12P3C007
Costruttore:
ROHM
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Modulo di potenza SiC

Serie

BSM

Numero pin

4

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

17mm

Lunghezza

122mm

Larghezza

45.6 mm

Numero elementi per chip

2

Paese di origine:
JP

Moduli di potenza SiC, ROHM


Il modulo è costituito da dispositivi di potenza in carburo di silicio (SiC) DMOS FET con diodo a barriera Schottky (SBD) su drain e source.

Configurazione half-bridge

Bassa corrente di sovratensione

Basse perdite di commutazione di potenza

Commutazione ad alta velocità

Bassa temperatura di funzionamento

Transistor MOSFET, ROHM Semiconductor


Note

Il modulo di potenza BSM180D12P2C101 SiC non include diodi a barriera Schottky.

Link consigliati