2 Modulo di potenza SiC ROHM, canale Tipo N, 300 A 1200 V, Superficie Miglioramento, 4 Pin BSM300D12P2E001

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Codice RS:
144-2260
Codice costruttore:
BSM300D12P2E001
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Modulo di potenza SiC

Massima corrente di scarico continua Id

300A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

BSM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1875W

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

152mm

Larghezza

57.95mm

Altezza

17mm

Numero elementi per chip

2

Paese di origine:
JP

Moduli di potenza SiC, ROHM


Il modulo è costituito da dispositivi FET di potenza DMOS al carburo di silicio (SiC) con un diodo a barriera Schottky (SBD) attraverso il drenaggio e la sorgente.

Configurazione a mezzo ponte

Bassa corrente di sovratensione

Basse perdite di commutazione di potenza

Commutazione ad alta velocità

Bassa temperatura d'esercizio

Transistor MOSFET, ROHM Semiconductor


Note

Il modulo di potenza SiC BSM180D12P2C101 non include diodi a barriera Schottky.

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