2 Modulo di potenza SiC ROHM, canale N, 300 A 1200 V, Superficie Miglioramento, 4 Pin BSM300D12P2E001
- Codice RS:
- 144-2260
- Codice costruttore:
- BSM300D12P2E001
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 144-2260
- Codice costruttore:
- BSM300D12P2E001
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | Modulo di potenza SiC | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 300A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | BSM | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1875W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 17mm | |
| Larghezza | 57.95mm | |
| Lunghezza | 152mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto Modulo di potenza SiC | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 300A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie BSM | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1875W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 17mm | ||
Larghezza 57.95mm | ||
Lunghezza 152mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
- Paese di origine:
- JP
Moduli di potenza SiC, ROHM
Il modulo è costituito da dispositivi FET di potenza DMOS al carburo di silicio (SiC) con un diodo a barriera Schottky (SBD) attraverso il drenaggio e la sorgente.
Configurazione a mezzo ponte
Bassa corrente di sovratensione
Basse perdite di commutazione di potenza
Commutazione ad alta velocità
Bassa temperatura d'esercizio
Transistor MOSFET, ROHM Semiconductor
Note
Il modulo di potenza SiC BSM180D12P2C101 non include diodi a barriera Schottky.