Modulo di potenza SiC onsemi 1200 V, F1-2PACK, Foro passante NXH010P120MNF1PTG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
248-5824
Codice costruttore:
NXH010P120MNF1PTG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Modulo di potenza SiC

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

F1-2PACK

Tipo montaggio

Foro passante

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Modulo SiC - Topologia half-bridge EliteSiC 2-PACK, 1200 V, pin MOSFET SiC M1 a pressione da 10 mohm, materiale di interfaccia termica


ON Semiconductor è un modulo di potenza contenente un mezzo ponte MOSFET SiC da 10 mohm/1200 V e un termistore in un contenitore F1.

10 mohm/1200 V MOSFET SiC a semiponte

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