Tipo isolato Modulo di potenza SiC onsemi, canale N 1200 V, 304 A, F2, Telaio, 36 Pin NXH006P120MNF2PTG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-6510
Codice costruttore:
NXH006P120MNF2PTG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Modulo di potenza SiC

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

304A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

F2

Tipo montaggio

Telaio

Numero pin

36

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

847nC

Dissipazione di potenza massima Pd

950W

Tensione diretta Vf

6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Minima temperatura operativa

-40°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

57mm

Standard/Approvazioni

Halide Free, Pb-Free, RoHS

Lunghezza

63.3mm

Altezza

17mm

Standard automobilistico

No

Il modulo di potenza on Semiconductor contenente un MOSFET SiC da 1200 V half bridge−e un termistore in contenitore F2. È generalmente utilizzato in inverter solari, UPS, stazioni di ricarica per veicoli elettrici e alimentazione industriale.

Opzioni con materiale di interfaccia termica pre-applicato−

Opzioni con pin saldabili e−pin a pressione

Senza piombo−

Conformità RoHS

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