Tipo isolato Modulo di potenza SiC onsemi, canale Tipo N 1200 V, 304 A, F2, Telaio, 36 Pin NXH006P120MNF2PTG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-6510
Codice costruttore:
NXH006P120MNF2PTG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Modulo di potenza SiC

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

304A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

F2

Tipo montaggio

Telaio

Numero pin

36

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

950W

Tensione diretta Vf

6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

847nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

17mm

Standard/Approvazioni

Halide Free, Pb-Free, RoHS

Lunghezza

63.3mm

Larghezza

57 mm

Standard automobilistico

No

Il modulo di potenza on Semiconductor contenente un MOSFET SiC da 1200 V half bridge−e un termistore in contenitore F2. È generalmente utilizzato in inverter solari, UPS, stazioni di ricarica per veicoli elettrici e alimentazione industriale.

Opzioni con materiale di interfaccia termica pre-applicato−

Opzioni con pin saldabili e−pin a pressione

Senza piombo−

Conformità RoHS

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