Mezzo ponte Modulo di potenza SiC ROHM, canale Tipo N 1200 V, 240 A Miglioramento, Superficie, 4 Pin BSM120D12P2C005

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Codice RS:
144-2257
Codice costruttore:
BSM120D12P2C005
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

Modulo di potenza SiC

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

240A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

BSM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Configurazione transistor

Mezzo ponte

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

17mm

Larghezza

45.6 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

122mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
JP

Moduli di potenza SiC, ROHM


Il modulo è costituito da dispositivi di potenza in carburo di silicio (SiC) DMOS FET con diodo a barriera Schottky (SBD) su drain e source.

Configurazione half-bridge

Bassa corrente di sovratensione

Basse perdite di commutazione di potenza

Commutazione ad alta velocità

Bassa temperatura di funzionamento

Transistor MOSFET, ROHM Semiconductor


Note

Il modulo di potenza BSM180D12P2C101 SiC non include diodi a barriera Schottky.

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