Mezzo ponte Modulo di potenza SiC ROHM, canale N 1200 V, 240 A Miglioramento, Superficie, 4 Pin BSM120D12P2C005
- Codice RS:
- 144-2257
- Codice costruttore:
- BSM120D12P2C005
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 144-2257
- Codice costruttore:
- BSM120D12P2C005
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | Modulo di potenza SiC | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 240A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | BSM | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 935W | |
| Configurazione transistor | Mezzo ponte | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 45.6mm | |
| Lunghezza | 122mm | |
| Altezza | 17mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto Modulo di potenza SiC | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 240A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie BSM | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 935W | ||
Configurazione transistor Mezzo ponte | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 45.6mm | ||
Lunghezza 122mm | ||
Altezza 17mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- JP
Moduli di potenza SiC, ROHM
Il modulo è costituito da dispositivi di potenza in carburo di silicio (SiC) DMOS FET con diodo a barriera Schottky (SBD) su drain e source.
Configurazione half-bridge
Bassa corrente di sovratensione
Basse perdite di commutazione di potenza
Commutazione ad alta velocità
Bassa temperatura di funzionamento
Transistor MOSFET, ROHM Semiconductor
Note
Il modulo di potenza BSM180D12P2C101 SiC non include diodi a barriera Schottky.
