Mezzo ponte Modulo di potenza SiC ROHM, canale Tipo N 1200 V, 240 A Miglioramento, Superficie, 4 Pin BSM120D12P2C005

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Codice RS:
144-2257
Codice costruttore:
BSM120D12P2C005
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Modulo di potenza SiC

Massima corrente di scarico continua Id

240A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

BSM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Minima temperatura operativa

-40°C

Configurazione transistor

Mezzo ponte

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

17mm

Lunghezza

122mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
JP

Moduli di potenza SiC, ROHM


Il modulo è costituito da dispositivi di potenza in carburo di silicio (SiC) DMOS FET con diodo a barriera Schottky (SBD) su drain e source.

Configurazione half-bridge

Bassa corrente di sovratensione

Basse perdite di commutazione di potenza

Commutazione ad alta velocità

Bassa temperatura di funzionamento

Transistor MOSFET, ROHM Semiconductor


Note

Il modulo di potenza BSM180D12P2C101 SiC non include diodi a barriera Schottky.

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