Tipo isolato Modulo di potenza SiC onsemi, canale Tipo N 1200 V, 304 A, F2, Telaio, 36 Pin

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Prezzo per 1 tubo da 60 unità*

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Codice RS:
229-6509
Codice costruttore:
NXH006P120MNF2PTG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Modulo di potenza SiC

Massima corrente di scarico continua Id

304A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

F2

Tipo montaggio

Telaio

Numero pin

36

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

847nC

Dissipazione di potenza massima Pd

950W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

6V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Lunghezza

63.3mm

Altezza

17mm

Larghezza

57 mm

Standard/Approvazioni

Halide Free, Pb-Free, RoHS

Standard automobilistico

No

Il modulo di potenza on Semiconductor contenente un MOSFET SiC da 1200 V half bridge−e un termistore in contenitore F2. È generalmente utilizzato in inverter solari, UPS, stazioni di ricarica per veicoli elettrici e alimentazione industriale.

Opzioni con materiale di interfaccia termica pre-applicato−

Opzioni con pin saldabili e−pin a pressione

Senza piombo−

Conformità RoHS

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