Trifase Modulo di potenza SiC STMicroelectronics, canale N, 17 mΩ 1200 V, 75 A Miglioramento, ACEPACK 2, Telaio, 8 Pin
- Codice RS:
- 249-6720
- Codice costruttore:
- A2U12M12W2-F2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
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- A2U12M12W2-F2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | Modulo di potenza SiC | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 75A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | A2U | |
| Tipo di package | ACEPACK 2 | |
| Tipo montaggio | Telaio | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 17mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 298nC | |
| Tensione diretta Vf | 2.9V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 18V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Configurazione transistor | Trifase | |
| Standard/Approvazioni | UL | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto Modulo di potenza SiC | ||
Massima corrente di scarico continua Id 75A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie A2U | ||
Tipo di package ACEPACK 2 | ||
Tipo montaggio Telaio | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 17mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 298nC | ||
Tensione diretta Vf 2.9V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 18V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Configurazione transistor Trifase | ||
Standard/Approvazioni UL | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il modulo di potenza STMicroelectronics rappresenta un elemento di una topologia inverter a 3 livelli di tipo T che integra la tecnologia avanzata Power MOSFET in carburo di silicio. Questo modulo sfrutta le proprietà innovative del materiale SiC a banda larga e un substrato ad alte prestazioni termiche. Il risultato è una resistenza in stato attivo eccezionalmente bassa per area dell'unità e eccellenti prestazioni di commutazione che sono praticamente indipendenti dalla temperatura.
Topologia a 3 livelli
ACEPACK 2 modulo di potenza
13 mΩ di RDS(on) tipico per ogni interruttore
Tensione di isolamento certificata UL di 2,5 kVrms
Sensore di temperatura NTC integrato
DBC basato su Cu-Al2O3-Cu
Pin di contatto a pressione
Un sensore NTC completa la progettazione
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