Modulo di potenza SiC STMicroelectronics, canale N, 0,55 Ω, 12 A, HiP247, Su foro

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Codice RS:
204-3955
Codice costruttore:
SCTWA10N120
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

12 A

Tensione massima drain source

1200 V

Serie

SCTWA10N120

Tipo di package

HiP247

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

0,55 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3.5V

Materiale del transistor

SiC

Numero di elementi per chip

1

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è prodotto sfruttando le proprietà Advanced e innovative dei materiali a larga banda proibita. Ciò si traduce in una resistenza all'accensione insuperabile per unità di superficie e ottime prestazioni di commutazione quasi indipendenti dalla temperatura. Le eccezionali proprietà termiche del materiale SiC, combinate con il contenitore del dispositivo nel contenitore HiP247 proprietario, consentono ai progettisti di utilizzare un profilo standard industriale con una capacità termica notevolmente migliorata. Queste caratteristiche rendono il dispositivo perfettamente adatto per applicazioni ad alta efficienza ed elevata densità di potenza.

Facile da guidare
Bassa capacitanza
Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto
Leggera variazione delle perdite di commutazione rispetto a. Temperatura
Capacità di temperatura d'esercizio molto elevata (200 °C)
Variazione molto stretta della resistenza in stato attivo rispetto a. Temperatura

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