Modulo di potenza SiC STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.52 Ω 1200 V, 16 A Depletion, Hip-247, Foro passante, 3 Pin

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Codice RS:
202-4778
Codice costruttore:
SCT20N120AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Modulo di potenza SiC

Massima corrente di scarico continua Id

16A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

SCT

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.52Ω

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

3.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Dissipazione di potenza massima Pd

153W

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Lunghezza

10.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

15.8mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio di qualità automobilistica STMicroelectronics ha una variazione molto stretta della resistenza in stato attivo rispetto alla resistenza in stato attivo temperatura. Ha una capacità di temperatura d'esercizio molto elevata.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Bassa capacitanza

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