Modulo di potenza SiC STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.52 Ω 1200 V, 12 A Depletion, Hip-247, Foro passante, 3 Pin
- Codice RS:
- 202-4776
- Codice costruttore:
- SCT10N120AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 202-4776
- Codice costruttore:
- SCT10N120AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Modulo di potenza SiC | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.52Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Tensione diretta Vf | 4.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Lunghezza | 15.75mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 34.95mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Modulo di potenza SiC | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.52Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Tensione diretta Vf 4.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Lunghezza 15.75mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 34.95mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio di qualità automobilistica STMicroelectronics ha una variazione molto stretta della resistenza in stato attivo rispetto alla resistenza in stato attivo temperatura. Ha una capacità di temperatura d'esercizio molto elevata.
Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto
Bassa capacitanza
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