MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0.59 Ω 1200 V, 65 A Depletion, Hip-247, Foro passante, 3 Pin SCT50N120

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5479
Codice costruttore:
SCT50N120
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

65A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

Hip-247

Serie

SCT

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.59Ω

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

318W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

122nC

Tensione diretta Vf

3.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Larghezza

5.15mm

Lunghezza

15.75mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

34.95mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è prodotto sfruttando le proprietà Advanced e innovative dei materiali a larga banda proibita. Ciò si traduce in una resistenza all'accensione insuperabile per unità di superficie e ottime prestazioni di commutazione quasi indipendenti dalla temperatura.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Bassa capacitanza

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