MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.055 Ω 650 V, 45 A Depletion, Hip-247, Foro passante, 3 Pin SCTW35N65G2VAG

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

14,96 €

(IVA esclusa)

18,25 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Per ordini inferiori a 60,00 € (IVA esclusa) il costo della spedizione è 9,50 €.
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 21 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 414,96 €
5 - 914,57 €
10 +14,21 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5488
Codice costruttore:
SCTW35N65G2VAG
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SCT

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.055Ω

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

240W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Tensione diretta Vf

3.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.75mm

Larghezza

5.15 mm

Altezza

34.95mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio di qualità automobilistica STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SiC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Bassa capacitanza

Link consigliati

Recently viewed