MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0.055 Ω 650 V, 45 A Depletion, Hip-247, Foro passante, 3 Pin SCTW35N65G2VAG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5488
Codice costruttore:
SCTW35N65G2VAG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

Hip-247

Serie

SCT

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.055Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Dissipazione di potenza massima Pd

240W

Tensione diretta Vf

3.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Altezza

34.95mm

Larghezza

5.15mm

Lunghezza

15.75mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio di qualità automobilistica STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SiC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Bassa capacitanza

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