MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.055 Ω 650 V, 45 A Depletion, Hip-247, Foro passante, 3 Pin SCTW35N65G2VAG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5488
Codice costruttore:
SCTW35N65G2VAG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

Hip-247

Serie

SCT

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.055Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Tensione diretta Vf

3.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

240W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Altezza

34.95mm

Larghezza

5.15 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.75mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio di qualità automobilistica STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SiC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Bassa capacitanza

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