MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.59 Ω 1200 V, 65 A Depletion, Hip-247, Foro passante, 3 Pin

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Codice RS:
202-5478
Codice costruttore:
SCT50N120
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

65A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

SCT

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.59Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione diretta Vf

3.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

122nC

Dissipazione di potenza massima Pd

318W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.75mm

Altezza

34.95mm

Larghezza

5.15 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è prodotto sfruttando le proprietà Advanced e innovative dei materiali a larga banda proibita. Ciò si traduce in una resistenza all'accensione insuperabile per unità di superficie e ottime prestazioni di commutazione quasi indipendenti dalla temperatura.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Bassa capacitanza

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