Modulo di potenza SiC STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.52 Ω 1200 V, 16 A Depletion, Hip-247, Foro passante, 3 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 unità*

11,86 €

(IVA esclusa)

14,47 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 594 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 +11,86 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-4806
Codice costruttore:
SCT20N120AG
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

Modulo di potenza SiC

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

16A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

Hip-247

Serie

SCT

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.52Ω

Modalità canale

Depletion

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

153W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Tensione diretta Vf

3.6V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Altezza

15.8mm

Larghezza

4.7 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.4mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio di qualità automobilistica STMicroelectronics ha una variazione molto stretta della resistenza in stato attivo rispetto alla resistenza in stato attivo temperatura. Ha una capacità di temperatura d'esercizio molto elevata.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Bassa capacitanza

Link consigliati