MOSFET STMicroelectronics 1200 V, 63 mΩ, 30 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante SCT070W120G3AG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
330-234
Codice costruttore:
SCT070W120G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

Hip-247

Serie

SCT0

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

63mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

236W

Tensione diretta Vf

3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

18V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia MOSFET SiC di terza generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Certificazione AEC-Q100

RDS(on) molto basso per l'intero intervallo di temperatura

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

Capacità di temperatura di giunzione operativa molto elevata TJ pari a 200 °C

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