MOSFET STMicroelectronics 1200 V, 63 mΩ, 30 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante SCT070W120G3AG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
330-234
Codice costruttore:
SCT070W120G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

SCT0

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

63mΩ

Tensione diretta Vf

3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41nC

Dissipazione di potenza massima Pd

236W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia MOSFET SiC di terza generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Certificazione AEC-Q100

RDS(on) molto basso per l'intero intervallo di temperatura

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

Capacità di temperatura di giunzione operativa molto elevata TJ pari a 200 °C

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