MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 7 Ω Miglioramento, 1.4 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante IRFU1N60APBF

Codice RS:: 145-1664
Codice costruttore:: IRFU1N60APBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 7 Ω Miglioramento, 1.4 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante IRFU1N60APBF

Prezzo per 75 unità, in un tubo da 75*

64,43 €

(IVA esclusa)

78,60 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per Tubo*
75 +	0,859 €	64,43 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 145-1664
Codice costruttore:: IRFU1N60APBF
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	1.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Serie	IRFU1N60A
	Tipo di package	IPAK
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	7Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-30V, +30V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	14nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	36W
	Tensione diretta Vf	1.6V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	6.22mm
	Larghezza	2.39mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	6.73mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 1.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Serie IRFU1N60A
	Tipo di package IPAK
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -30V, +30V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 36W
	Tensione diretta Vf 1.6V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 6.22mm
	Larghezza 2.39mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 6.73mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: MY

MOSFET di potenza serie IRFU1N60A di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 1,4 A - IRFU1N60APBF

Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per l'assemblaggio a foro passante nell'elettronica industriale. È progettato per applicazioni che richiedono un'elevata tensione di drenaggio-sorgente e una corrente continua moderata, funzionando in un ampio intervallo di temperature per ambienti difficili. Il dispositivo è conforme alla direttiva RoHS ed è fornito in un contenitore IPak a foro passante.

Caratteristiche e vantaggi:

• Tensione drain-source di 600 V per capacità di commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 1.4 A che supporta correnti di carico moderate
• Rds(on) massimo di 7 Ω che riduce le perdite di conduzione a basse correnti
• Dissipazione di potenza di 36 W che consente una gestione prolungata del carico termico
• Carica gate tipica di 14 nC che consente un comportamento efficiente dell'azionamento del gate
• Resistenza alla sorgente gate fino a 30 V per un robusto margine di tensione di controllo

Applicazioni

• Adatto per alimentatori offline che richiedono interruttori ad alta tensione
• Utilizzato per circuiti di controllo lampade e ballast di illuminazione
• Ideale per lo stadio gate dell'azionamento del motore in sistemi a bassa potenza
• Può essere utilizzato per funzioni snubber o interruttore a morsetto nei convertitori
• Utilizzato con sensori e frontali di misurazione che richiedono Vds elevati

Quali estremi termici può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?

Funziona da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in assemblaggi industriali e a temperature elevate.

Come viene montato il transistor sulla scheda?

È progettato per il montaggio a foro passante in un contenitore IPak per una ritenzione meccanica sicura.

Qual è la tensione diretta tipica negli scenari di conduzione?

Il dispositivo presenta una tensione diretta di 1,6 V nelle condizioni di prova specificate per la conduzione corpo-diodo.

Il gate richiede particolari considerazioni di azionamento a causa della carica?

Con una carica gate tipica di 14 nC, i driver gate devono essere scelti per fornire una corrente sufficiente per la velocità di commutazione prevista senza eccessive perdite di azionamento.