MOSFET Vishay, canale N, 7 Ω, 1,4 A, IPAK (TO-251), Su foro
- Codice RS:
- 812-0660
- Codice costruttore:
- IRFU1N60APBF
- Costruttore:
- Vishay
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 10
1,137 €
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1,387 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 10 - 90 | 1,137 € | 11,37 € |
| 100 - 240 | 1,07 € | 10,70 € |
| 250 - 490 | 1,023 € | 10,23 € |
| 500 - 990 | 0,909 € | 9,09 € |
| 1000 + | 0,853 € | 8,53 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 812-0660
- Codice costruttore:
- IRFU1N60APBF
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- MY
Dettagli prodotto
MOSFET canale N, da 600V a 1000V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 1,4 A |
| Tensione massima drain source | 600 V |
| Tipo di package | IPAK (TO-251) |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 7 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate minima | 2V |
| Dissipazione di potenza massima | 36 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Larghezza | 2.39mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 14 nC a 10 V |
| Lunghezza | 6.73mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Altezza | 6.22mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
- Codice RS:
- 812-0660
- Codice costruttore:
- IRFU1N60APBF
- Costruttore:
- Vishay
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