MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 7 Ω Miglioramento, 1.4 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante IRFU1N60APBF

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Codice RS:
812-0660
Codice costruttore:
IRFU1N60APBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

1.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

IPAK

Serie

IRFU1N60A

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-30V, +30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

36W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2.39mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

MOSFET di potenza serie IRFU1N60A di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 1,4 A - IRFU1N60APBF


Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per l'assemblaggio a foro passante nell'elettronica industriale. È progettato per applicazioni che richiedono un'elevata tensione di drenaggio-sorgente e una corrente continua moderata, funzionando in un ampio intervallo di temperature per ambienti difficili. Il dispositivo è conforme alla direttiva RoHS ed è fornito in un contenitore IPak a foro passante.

Caratteristiche e vantaggi:


• Tensione drain-source di 600 V per capacità di commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 1.4 A che supporta correnti di carico moderate
• Rds(on) massimo di 7 Ω che riduce le perdite di conduzione a basse correnti
• Dissipazione di potenza di 36 W che consente una gestione prolungata del carico termico
• Carica gate tipica di 14 nC che consente un comportamento efficiente dell'azionamento del gate
• Resistenza alla sorgente gate fino a 30 V per un robusto margine di tensione di controllo

Applicazioni


• Adatto per alimentatori offline che richiedono interruttori ad alta tensione
• Utilizzato per circuiti di controllo lampade e ballast di illuminazione
• Ideale per lo stadio gate dell'azionamento del motore in sistemi a bassa potenza
• Può essere utilizzato per funzioni snubber o interruttore a morsetto nei convertitori
• Utilizzato con sensori e frontali di misurazione che richiedono Vds elevati

Quali estremi termici può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?


Funziona da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in assemblaggi industriali e a temperature elevate.

Come viene montato il transistor sulla scheda?


È progettato per il montaggio a foro passante in un contenitore IPak per una ritenzione meccanica sicura.

Qual è la tensione diretta tipica negli scenari di conduzione?


Il dispositivo presenta una tensione diretta di 1,6 V nelle condizioni di prova specificate per la conduzione corpo-diodo.

Il gate richiede particolari considerazioni di azionamento a causa della carica?


Con una carica gate tipica di 14 nC, i driver gate devono essere scelti per fornire una corrente sufficiente per la velocità di commutazione prevista senza eccessive perdite di azionamento.

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