MOSFET STMicroelectronics, canale N 600 V, 8.5 Ω Miglioramento, 1 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 75 unità, in un tubo da 75*

42,68 €

(IVA esclusa)

52,05 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 3825 unità in spedizione dal 05 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per Tubo*
75 - 6750,569 €42,68 €
750 - 18000,511 €38,33 €
1875 +0,419 €31,43 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
168-7564
Codice costruttore:
STD1NK60-1
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

IPAK

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-30V, +30V

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

30W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.6mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.4mm

Larghezza

6.2mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.