MOSFET STMicroelectronics, canale N 600 V, 3.6 Ω Miglioramento, 2.4 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante STD3NK60Z-1

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Codice RS:
151-950
Codice costruttore:
STD3NK60Z-1
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

2.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

IPAK

Serie

SuperMESH

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.6Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11.8nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza della STMicroelectronics è stato sviluppato con la tecnologia Super MESH, un'ottimizzazione dell'affermato Power MESH. Oltre a una significativa riduzione della resistenza di accensione, questi dispositivi sono progettati per garantire un elevato livello di capacità dv/dt per le applicazioni più esigenti.

100% testato a valanga

Carica di gate ridotta al minimo

Capacità intrinseca molto bassa

Protezione Zener

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