MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 500 V, 3 Ω Miglioramento, 2.4 A, 3 Pin, IPAK, Superficie IRFU420PBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
152-6352
Codice costruttore:
IRFU420PBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

2.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Serie

IRFU420

Tipo di package

IPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Dissipazione di potenza massima Pd

42W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.39mm

Larghezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie IRFU420 Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 500 V, corrente di drenaggio continua massima di 2,4 A - IRFU420PBF


Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per la conversione di potenza a montaggio superficiale e le attività di controllo nei sistemi industriali. Funziona come un dispositivo in modalità di potenziamento a canale N adatto per le applicazioni che richiedono una gestione elevata della tensione di drenaggio-sorgente e una corrente continua moderata, con un contenitore IPAK a 3 pin progettato per l'integrazione a livello di scheda compatta.

Caratteristiche e vantaggi:


• Resistenza drain-source 500 V per capacità di commutazione ad alta tensione • 3 Ω RDS(on) per perdite di conduzione prevedibili in stato attivo • corrente di drenaggio continua di 2,4 A per un funzionamento a carico prolungato • Carica gate tipica di 19 nC per facilitare la stima dell'energia di commutazione • Dissipazione di potenza massima di 42 W per il margine di progettazione termica • Intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C per ampi ambienti termici

Applicazioni


• Adatto per le fasi di commutazione del gate dell'azionamento del motore industriale • Ideale per alimentatori switching ad alta tensione • Utilizzato per la protezione della tensione di linea e i circuiti snubber • Può essere utilizzato in relè di controllo e driver di automazione

Quali sono i limiti di tensione del gate da rispettare durante la progettazione?


Mantenere le escursioni del gate entro ±20 V rispetto alla sorgente per evitare l'eccessiva sollecitazione dell'ossido del gate e garantire l'affidabilità di commutazione a lungo termine.

Come devono essere gestite le limitazioni termiche sul circuito stampato?


Utilizzare un'adeguata area di rame e vie termiche per dissipare fino a 42 W e valutare la resistenza della giunzione all'ambiente per la propria strategia di raffreddamento.

Quali considerazioni sulle prestazioni di commutazione derivano dalla carica del gate?


Corrente del driver di budget e velocità di slittamento intorno al valore di carica del gate di 19 nC per controllare le perdite di commutazione e le emissioni elettromagnetiche durante le transizioni.

Esistono raccomandazioni specifiche per il montaggio per un funzionamento affidabile?


Come dispositivo IPAK a montaggio superficiale, garantisce giunti di saldatura sicuri e un ingombro adeguato per la diffusione del calore per mantenere la temperatura entro la gamma operativa da -55 °C a 150 °C.

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