MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 500 V, 3 Ω Miglioramento, 2.4 A, 3 Pin, IPAK, Superficie IRFU420PBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
152-6352
Codice costruttore:
IRFU420PBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

2.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

IPAK

Serie

IRFU420

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

42W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

2.39mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie IRFU420 Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 500 V, corrente di drenaggio continua massima di 2,4 A - IRFU420PBF


Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per la conversione di potenza a montaggio superficiale e le attività di controllo nei sistemi industriali. Funziona come un dispositivo in modalità di potenziamento a canale N adatto per le applicazioni che richiedono una gestione elevata della tensione di drenaggio-sorgente e una corrente continua moderata, con un contenitore IPAK a 3 pin progettato per l'integrazione a livello di scheda compatta.

Caratteristiche e vantaggi:


• Resistenza drain-source 500 V per capacità di commutazione ad alta tensione • 3 Ω RDS(on) per perdite di conduzione prevedibili in stato attivo • corrente di drenaggio continua di 2,4 A per un funzionamento a carico prolungato • Carica gate tipica di 19 nC per facilitare la stima dell'energia di commutazione • Dissipazione di potenza massima di 42 W per il margine di progettazione termica • Intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C per ampi ambienti termici

Applicazioni


• Adatto per le fasi di commutazione del gate dell'azionamento del motore industriale • Ideale per alimentatori switching ad alta tensione • Utilizzato per la protezione della tensione di linea e i circuiti snubber • Può essere utilizzato in relè di controllo e driver di automazione

Quali sono i limiti di tensione del gate da rispettare durante la progettazione?


Mantenere le escursioni del gate entro ±20 V rispetto alla sorgente per evitare l'eccessiva sollecitazione dell'ossido del gate e garantire l'affidabilità di commutazione a lungo termine.

Come devono essere gestite le limitazioni termiche sul circuito stampato?


Utilizzare un'adeguata area di rame e vie termiche per dissipare fino a 42 W e valutare la resistenza della giunzione all'ambiente per la propria strategia di raffreddamento.

Quali considerazioni sulle prestazioni di commutazione derivano dalla carica del gate?


Corrente del driver di budget e velocità di slittamento intorno al valore di carica del gate di 19 nC per controllare le perdite di commutazione e le emissioni elettromagnetiche durante le transizioni.

Esistono raccomandazioni specifiche per il montaggio per un funzionamento affidabile?


Come dispositivo IPAK a montaggio superficiale, garantisce giunti di saldatura sicuri e un ingombro adeguato per la diffusione del calore per mantenere la temperatura entro la gamma operativa da -55 °C a 150 °C.

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