MOSFET STMicroelectronics, canale N, 8,5 Ω, 1 A, IPAK (TO-251), Su foro

Codice RS:: 761-2704
Codice costruttore:: STD1NK60-1
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 8,5 Ω, 1 A, IPAK (TO-251), Su foro

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Prezzo per 1pz in confezione da 5

0,984 €

(IVA esclusa)

1,20 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 20	0,984 €	4,92 €
25 - 45	0,924 €	4,62 €
50 - 120	0,874 €	4,37 €
125 - 245	0,83 €	4,15 €
250 +	0,788 €	3,94 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 761-2704
Codice costruttore:: STD1NK60-1
Costruttore:: STMicroelectronics

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1 A
Tensione massima drain source	600 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di package	IPAK (TO-251)
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	8,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.7V
Tensione di soglia gate minima	2.25V
Dissipazione di potenza massima	30 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Larghezza	6.2mm
Lunghezza	6.6mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	7 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.4mm