MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 8.5 Ω Miglioramento, 1 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

870,00 €

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Codice RS:
920-8727
Codice costruttore:
STD1NK60T4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

30W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.2 mm

Lunghezza

6.6mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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