MOSFET STMicroelectronics, canale N, 8,5 mΩ, 80 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 795-9000
Codice costruttore:: STD65N55F3
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 8,5 mΩ, 80 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 795-9000
Codice costruttore:: STD65N55F3
Costruttore:: STMicroelectronics

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

STripFET™ F3 a canale N, STMicroelectronics

I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	80 A
Tensione massima drain source	55 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Serie	STripFET F3
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	8,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	110 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	6.2mm
Carica gate tipica @ Vgs	33,5 nC a 10 V
Lunghezza	6.6mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	2.4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C