MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 55 V, 8.5 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD65N55F3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
795-9000
Codice costruttore:
STD65N55F3
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

STripFET F3

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.6mm

Altezza

2.4mm

Larghezza

6.2 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

STripFET™ F3 a canale N, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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