MOSFET onsemi, canale Tipo N, 180 mΩ, 10 A 100 V, IPAK, Foro passante Miglioramento, 3 Pin FQU13N10LTU

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Codice RS:
145-4317
Codice costruttore:
FQU13N10LTU
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

QFET

Tipo di package

IPAK

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

180mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.6mm

Altezza

6.1mm

Larghezza

2.3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N QFET®, da 6 A a 10,9 A, Fairchild Semiconductor


I nuovi MOSFET planari QFET® FairField Semiconductor utilizzano una tecnologia avanzata e proprietaria per offrire le migliori prestazioni operative della classe per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, PFC (correzione del fattore di potenza), convertitori c.c.-c.c., pannelli display al plasma (PDP), ballast di illuminazione e controllo del movimento.

Offrono una perdita di stato on ridotta riducendo la resistenza di on (RDS(on)), e una perdita di commutazione ridotta riducendo la carica del gate (Qg) e la capacità di uscita (Coss). Utilizzando la tecnologia di processo QFET® avanzata, Fairchild è in grado di offrire una cifra di merito (FOM) migliorata rispetto ai dispositivi MOSFET Planar concorrenti.

Transistor MOSFET, ON Semi


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I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.

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