- Codice RS:
- 325-7580
- Codice costruttore:
- RFD14N05L
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per Unità
0,90 €
(IVA esclusa)
1,10 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
1 - 4 | 0,90 € |
5 - 9 | 0,86 € |
10 - 24 | 0,80 € |
25 - 49 | 0,75 € |
50 + | 0,72 € |
- Codice RS:
- 325-7580
- Codice costruttore:
- RFD14N05L
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor
I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 14 A |
Tensione massima drain source | 50 V |
Tipo di package | IPAK (TO-251) |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 100 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 1V |
Dissipazione di potenza massima | 48 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -10 V, +10 V |
Larghezza | 2.5mm |
Lunghezza | 6.8mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Carica gate tipica @ Vgs | 25 nC a 5 V, 40 nC a 10 V |
Massima temperatura operativa | +175 °C |
Materiale del transistor | Si |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 6.3mm |
- Codice RS:
- 325-7580
- Codice costruttore:
- RFD14N05L
- Costruttore:
- onsemi