MOSFET onsemi, canale Tipo N 50 V, 100 mΩ Miglioramento, 14 A, 3 Pin, IPAK (TO-251), Foro passante RFD14N05L

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
325-7580
Codice costruttore:
RFD14N05L
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

50V

Tipo di package

IPAK (TO-251)

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

48W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

40nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

2.5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.3mm

Lunghezza

6.8mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


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I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.

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