1 MOSFET onsemi Singolo, canale N, 900 mΩ, 4.5 A 600 V, IPAK (TO-251), Foro passante Miglioramento, 3 Pin FCU900N60Z

Codice RS:: 774-1124
Codice costruttore:: FCU900N60Z
Costruttore:: onsemi

1 MOSFET onsemi Singolo, canale N, 900 mΩ, 4.5 A 600 V, IPAK (TO-251), Foro passante Miglioramento, 3 Pin FCU900N60Z

Prezzo per 5 unità, in un sacchetto da 5*

11,62 €

(IVA esclusa)

14,18 €

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Unità	Per unità	Per Sacchetto*
5 +	2,324 €	11,62 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 774-1124
Codice costruttore:: FCU900N60Z
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	4.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Serie	SuperFET II
	Tipo di package	IPAK (TO-251)
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	900mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-30V, +30V
	Dissipazione di potenza massima Pd	52W
	Configurazione transistor	Singolo
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	6.8mm
	Altezza	6.3mm
	Larghezza	2.5mm
	Numero elementi per chip	1

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	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 4.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Serie SuperFET II
	Tipo di package IPAK (TO-251)
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 900mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -30V, +30V
	Dissipazione di potenza massima Pd 52W
	Configurazione transistor Singolo
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 6.8mm
	Altezza 6.3mm
	Larghezza 2.5mm
	Numero elementi per chip 1

MOSFET a canale N SuperFET® e SuperFET® II, Fairchild Semiconductor

Fairchild ha aggiunto ai propri prodotti la famiglia di MOSFET di potenza ad alta tensione SuperFET® II che utilizza la Tecnologia Super Junction. Offre un diodo integrato dalle prestazioni solide e migliori della categoria nelle applicazioni con alimentatori switching c.a.-c.c. come server, telecomunicazioni, informatica, alimentatori industriali, UPS/ESS, inverter solari, applicazioni di illuminazione, che richiedono un'elevata densità di potenza, efficienza del sistema e affidabilità.

Grazie a un'avanzata tecnologia di bilanciamento della carica, i progettisti possono realizzare soluzioni più efficienti e ad alte prestazioni che richiedono meno spazio su scheda e migliorano l'affidabilità.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

1 MOSFET onsemi Singolo, canale N, 900 mΩ, 4.5 A 600 V, IPAK (TO-251), Foro passante Miglioramento, 3 Pin FCU900N60Z

MOSFET a canale N SuperFET® e SuperFET® II, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

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