Codice costruttore

MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.54 Ω Miglioramento, 4.3 A, 3 Pin, IPAK (TO-251), Superficie

Codice RS:: 708-4831
Codice costruttore:: IRFU110PBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.54 Ω Miglioramento, 4.3 A, 3 Pin, IPAK (TO-251), Superficie

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Codice RS:: 708-4831
Codice costruttore:: IRFU110PBF
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	4.3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	IRFU
	Tipo di package	IPAK (TO-251)
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.54Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	25W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	8.3nC
	Tensione diretta Vf	100V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	±20 V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	2.38 mm
	Altezza	6.22mm
	Lunghezza	6.73mm
	Standard/Approvazioni	RoHS 2002/95/EC
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 4.3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie IRFU
	Tipo di package IPAK (TO-251)
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.54Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 25W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.3nC
	Tensione diretta Vf 100V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 2.38 mm
	Altezza 6.22mm
	Lunghezza 6.73mm
	Standard/Approvazioni RoHS 2002/95/EC
	Standard automobilistico No

MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.54 Ω Miglioramento, 4.3 A, 3 Pin, IPAK (TO-251), Superficie

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MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

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