MOSFET Vishay, canale N, 540 mΩ, 4.3 A, IPAK (TO-251), Su foro

Codice RS:: 708-4831
Codice costruttore:: IRFU110PBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 540 mΩ, 4.3 A, IPAK (TO-251), Su foro

10 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

20 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Aggiunto

Prezzo per 1pz in confezione da 10

1,016 €

(IVA esclusa)

1,24 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Pack*
10 - 90	1,016 €	10,16 €
100 - 240	0,914 €	9,14 €
250 - 490	0,843 €	8,43 €
500 - 990	0,793 €	7,93 €
1000 +	0,66 €	6,60 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 708-4831
Codice costruttore:: IRFU110PBF
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4.3 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	IPAK (TO-251)
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	540 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	25000 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	2.38mm
Lunghezza	6.73mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	8,3 nC a 10 V
Altezza	6.22mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Codice RS:: 708-4831
Codice costruttore:: IRFU110PBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 540 mΩ, 4.3 A, IPAK (TO-251), Su foro

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor

Specifiche

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor

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