1 MOSFET onsemi Singolo, 185 mΩ, 9.4 A 60 V, IPAK (TO-251), Foro passante Miglioramento, 3 Pin FQU11P06TU
- Codice RS:
- 671-5335
- Codice costruttore:
- FQU11P06TU
- Costruttore:
- onsemi
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
- Codice RS:
- 671-5335
- Codice costruttore:
- FQU11P06TU
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | IPAK (TO-251) | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 185mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -30V, +30V | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package IPAK (TO-251) | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 185mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -30V, +30V | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
MOSFET a canale P in modalità di potenziamento, ON Semiconductor
La gamma di MOSFET a canale P di ON Semiconductors è prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria di ON Semi ad alta densità di celle. Questo processo ad altissima densità è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo per fornire prestazioni robuste e affidabili per una commutazione rapida.
Caratteristiche e vantaggi:
• Interruttore a piccolo segnale a canale P controllato in tensione
• Design delle celle ad alta densità
• Elevata corrente di saturazione
• Commutazione superiore
• Prestazioni eccellenti, robuste e affidabili
• Tecnologia DMOS
Applicazioni:
• Commutazione carico
• Convertitore cc/cc
• Protezione della batteria
• Controllo della gestione dell'alimentazione
• Controllo del motore CC
Transistor MOSFET, ON Semi
><
I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.
Link consigliati
- 1 MOSFET onsemi Singolo 900 mΩ IPAK (TO-251) 3 Pin FCU900N60Z
- MOSFET onsemi 100 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante RFD14N05L
- MOSFET onsemi 185 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 185 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie FQD11P06TM
- MOSFET Infineon 210 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRFU120NPBF
- MOSFET Vishay 0.54 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie IRFU110PBF
- MOSFET di potenza STMicroelectronics 0.9 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Vishay 0.76 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante, Superficie IRLU110PBF