MOSFET Infineon, canale N, 14 mΩ, 63 A, IPAK (TO-251), Su foro

Codice RS:: 913-3976
Codice costruttore:: IRLU3110ZPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 14 mΩ, 63 A, IPAK (TO-251), Su foro

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 75)**

1,322 €

(IVA esclusa)

1,613 €

(IVA inclusa)

Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per Tubo**
75 +	1,322 €	99,15 €

**prezzo indicativo

Confronta

Codice RS:: 913-3976
Codice costruttore:: IRLU3110ZPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 63 A, dissipazione di potenza massima di 140 W - IRLU3110ZPBF

Questo MOSFET ad alte prestazioni è stato progettato per le applicazioni industriali, mostrando capacità impressionanti per l'automazione e i sistemi elettrici. La sua struttura a transistor enhancement mode aumenta l'efficienza e utilizza moderne tecniche di elaborazione per fornire risultati efficaci. Le specifiche lo rendono essenziale per gli utenti che cercano prestazioni affidabili in ambienti diversi.

Caratteristiche e vantaggi

• RDS(on) ultra basso per una maggiore efficienza energetica
• Supporta un'elevata corrente di drenaggio continuo fino a 63A
• Tensione massima drain-source nominale a 100 V
• Eccezionale stabilità termica con una temperatura massima di esercizio di +175°C
• La velocità di commutazione aumenta la reattività del sistema
• Resistente a condizioni di valanga ripetitive per una maggiore affidabilità

Applicazioni

• Utilizzato nei convertitori elettronici di potenza
• Adatto ai sistemi di controllo del motore
• Ideale per regolatori di commutazione e inverter
• Impiegato in circuiti che richiedono un'elevata gestione della corrente
• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'alimentazione delle apparecchiature industriali

Quali sono le condizioni operative ideali per questo MOSFET?

Funziona in modo efficiente tra -55°C e +175°C, offrendo versatilità in condizioni estreme.

Qual è l'impatto dell'RDS(on) sull'efficienza?

L'RDS(on) ultra basso riduce la perdita di potenza durante il funzionamento, con conseguente riduzione della generazione di calore e maggiore efficienza del circuito.

Può essere utilizzato in applicazioni ad alta frequenza?

Sì, le capacità di commutazione rapida consentono l'utilizzo in ambienti ad alta frequenza mantenendo inalterate le prestazioni.

Qual è il significato del picco di tensione gate-source?

La tensione massima gate-source di ±16V garantisce un funzionamento sicuro e previene la rottura dell'ossido di gate, proteggendo l'integrità del transistor.

È compatibile con il montaggio standard su PCB?

Sì, progettato per il montaggio a foro passante, si integra facilmente nei layout dei circuiti stampati standard, facilitando l'installazione da parte dei tecnici.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	63 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	IPAK (TO-251)
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	14 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	140 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	6.6mm
Carica gate tipica @ Vgs	34 nC a 4,5 V
Larghezza	2.3mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	6.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C