MOSFET Infineon, canale N, 14 mΩ, 63 A, IPAK (TO-251), Su foro

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Codice RS:
650-4867
Codice costruttore:
IRLU3110ZPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

63 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

IPAK (TO-251)

Serie

HEXFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

14 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.5V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

140 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-16 V, +16 V

Carica gate tipica @ Vgs

34 nC a 4,5 V

Lunghezza

6.6mm

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Larghezza

2.3mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Altezza

6.1mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1.3V

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 63 A, dissipazione di potenza massima di 140 W - IRLU3110ZPBF


Questo MOSFET ad alte prestazioni è stato progettato per le applicazioni industriali, mostrando capacità impressionanti per l'automazione e i sistemi elettrici. La sua struttura a transistor enhancement mode aumenta l'efficienza e utilizza moderne tecniche di elaborazione per fornire risultati efficaci. Le specifiche lo rendono essenziale per gli utenti che cercano prestazioni affidabili in ambienti diversi.

Caratteristiche e vantaggi


• RDS(on) ultra basso per una maggiore efficienza energetica
• Supporta un'elevata corrente di drenaggio continuo fino a 63A
• Tensione massima drain-source nominale a 100 V
• Eccezionale stabilità termica con una temperatura massima di esercizio di +175°C
• La velocità di commutazione aumenta la reattività del sistema
• Resistente a condizioni di valanga ripetitive per una maggiore affidabilità

Applicazioni


• Utilizzato nei convertitori elettronici di potenza
• Adatto ai sistemi di controllo del motore
• Ideale per regolatori di commutazione e inverter
• Impiegato in circuiti che richiedono un'elevata gestione della corrente
• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'alimentazione delle apparecchiature industriali

Quali sono le condizioni operative ideali per questo MOSFET?


Funziona in modo efficiente tra -55°C e +175°C, offrendo versatilità in condizioni estreme.

Qual è l'impatto dell'RDS(on) sull'efficienza?


L'RDS(on) ultra basso riduce la perdita di potenza durante il funzionamento, con conseguente riduzione della generazione di calore e maggiore efficienza del circuito.

Può essere utilizzato in applicazioni ad alta frequenza?


Sì, le capacità di commutazione rapida consentono l'utilizzo in ambienti ad alta frequenza mantenendo inalterate le prestazioni.

Qual è il significato del picco di tensione gate-source?


La tensione massima gate-source di ±16V garantisce un funzionamento sicuro e previene la rottura dell'ossido di gate, proteggendo l'integrità del transistor.

È compatibile con il montaggio standard su PCB?


Sì, progettato per il montaggio a foro passante, si integra facilmente nei layout dei circuiti stampati standard, facilitando l'installazione da parte dei tecnici.


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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